作者：admin 发布日期：2019-07-10 19:25 信息来源：http://www.nh01.cn/
图2b中接入了PNP型三极管Q和二极管D,其作用是分别使驱动电流和灌电流分路。
逆变电源前级驱动IC内部缓冲器的发射极，在负载电阻R1上建立未倒相的正极性驱动脉冲使三极管Q截止。在驱动脉冲上升沿开始，正极性脉冲通过二极管D加到MOS FET开关管栅-源极，对栅源极电容CGS充电，当充电电压达到开关管栅极电压阈值时，其漏源极导通。正脉冲持续期过后，IC内部缓冲放大器发射极电平为零，输出端将有一定时间的死区。此时，Q的发射极带有CGS充电电压，因而Q导通，CGS通过Q的ec极放电，Q的集电极电流为灌电流通路。R2为开关管的栅极电阻，目的是避免开关管的栅极在Q、D转换过程中悬空，否则其近似无穷大的高输入阻抗极容易被干扰电平所击穿。采用此方式利用普通双端输出集成电路，驱动MOS FET开关管，可以达到比较理想的效果。为了降低导通/截止损耗，D应选用快速开关二极管.Q的集电极电流应根据开关管决定，若为了提高输出功率，每路输出采用多只MOS FET管并联应用，则应选择ICM足够大的灌流三极管和高速开关二极管。
